具有高晶粒间连接性石墨烯/金属/MgB2复合材料及制备方法

具有高晶粒间连接性石墨烯/金属/MgB2复合材料及制备方法

技术类型 : 专利

专利所属地 :中国

公开号 :CN201710235690.2

技术成熟度 :正在研发

转让方式 :技术转让

交易价格:面议

应用领域 : 专用化学产品制造

技术领域 :超级电容器与热电转换技术

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成果概况
简介
本发明涉及一种具有高晶粒间连接性石墨烯/金属/MgB,2,复合材料及其制备方法。本发明将Mg,B与一定比例石墨烯和金属共同球磨,最终通过高温烧结得到MgB,2,超导块体。该方法制备的MgB,2,超导块体晶粒间连接性好,晶粒细小且分布均匀,Cu或Ni的掺杂在低温下与Mg形成共晶液相,为Mg和B颗粒之间的扩散与反应提供了有利条件,降低了反应自由能,使MgB,2,形成温度降低至500℃。而石墨烯的加入进一步为颗粒之间提供反应场所,使MgB,2,颗粒在石墨烯载体上形核长大,使得MgB,2,形成网状结构,提高了晶粒间连接性。本发明所使用的原材料容易获得,材料制备方法发展成熟,且其操作方便、过程可控,是一种有效降低MgB,2,反应温度,提高其晶粒间连接性的方法。
专利基本信息
专利名称 具有高晶粒间连接性石墨烯/金属/MgB2复合材料及制备方法
专利状态 授权 公开号 CN201710235690.2
申请号 CN107419153A 专利申请日期 2017-04-12
专利授权日期 0001-01-01 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 实用新型
发明人 天津科技大学
权利人 赵倩,矫春健
专利摘要 本发明涉及一种具有高晶粒间连接性石墨烯/金属/MgB,2,复合材料及其制备方法。本发明将Mg,B与一定比例石墨烯和金属共同球磨,最终通过高温烧结得到MgB,2,超导块体。该方法制备的MgB,2,超导块体晶粒间连接性好,晶粒细小且分布均匀,Cu或Ni的掺杂在低温下与Mg形成共晶液相,为Mg和B颗粒之间的扩散与反应提供了有利条件,降低了反应自由能,使MgB,2,形成温度降低至500℃。而石墨烯的加入进一步为颗粒之间提供反应场所,使MgB,2,颗粒在石墨烯载体上形核长大,使得MgB,2,形成网状结构,提高了晶粒间连接性。本发明所使用的原材料容易获得,材料制备方法发展成熟,且其操作方便、过程可控,是一种有效降低MgB,2,反应温度,提高其晶粒间连接性的方法。