一种自聚微孔聚合物气体分离膜的改性方法

一种自聚微孔聚合物气体分离膜的改性方法

技术类型 : 专利

专利所属地 :中国

公开号 :CN202410273656.4

技术成熟度 :正在研发

转让方式 :技术转让

交易价格:面议

应用领域 : 专用化学产品制造

技术领域 :新材料

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成果概况
简介
本发明提供一种自聚微孔聚合物气体分离膜的改性方法,涉及膜材料领域。该方法包括以下步骤:将待改性的气体分离膜放置于等离子激发反应室内;对等离子激发反应室抽真空处理;向等离子激发反应室内充入气源(H-2、Ar、SF-6、O-2或NH-3);通过电场激发气源使其成为等离子体,以对气体分离膜进行等离子体改性;将改性后的气体分离膜从等离子激发反应室内取出。本发明利用气体激发产生的等离子体进行对聚合物膜材料的微孔调控,构筑高效的气体选择性传输通道,使N-2难以透过聚合物膜材料而O-2能够轻松透过聚合物膜材料,从而显著提升气体分离膜的氧气/氮气的扩散选择性。本发明制备的改性分离膜材料在空气富氧领域具有广阔的应用前景。
专利基本信息
专利名称 一种自聚微孔聚合物气体分离膜的改性方法
专利状态 其他 公开号 CN202410273656.4
申请号 CN118320629A 专利申请日期 2024-03-11
专利授权日期 0001-01-01 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明
发明人 天津科技大学;
权利人 李凯华,程博闻,杨磊鑫,张津玮,马裕超
专利摘要 本发明提供一种自聚微孔聚合物气体分离膜的改性方法,涉及膜材料领域。该方法包括以下步骤:将待改性的气体分离膜放置于等离子激发反应室内;对等离子激发反应室抽真空处理;向等离子激发反应室内充入气源(H-2、Ar、SF-6、O-2或NH-3);通过电场激发气源使其成为等离子体,以对气体分离膜进行等离子体改性;将改性后的气体分离膜从等离子激发反应室内取出。本发明利用气体激发产生的等离子体进行对聚合物膜材料的微孔调控,构筑高效的气体选择性传输通道,使N-2难以透过聚合物膜材料而O-2能够轻松透过聚合物膜材料,从而显著提升气体分离膜的氧气/氮气的扩散选择性。本发明制备的改性分离膜材料在空气富氧领域具有广阔的应用前景。