技术类型 : 专利
专利所属地 :中国
公开号 :CN201811311004.6
技术成熟度 :正在研发
转让方式 :技术转让
交易价格:面议
应用领域 : 专用化学产品制造
技术领域 :农产品精深加工与现代储运
专利名称 | 一种吸附脱除甲基氯硅烷杂质制备高纯三氯氢硅的装置和方法 | ||
专利状态 | 实审 | 公开号 | CN201811311004.6 |
申请号 | CN109205627A | 专利申请日期 | 2018-11-08 |
专利授权日期 | 0001-01-01 | 专利权届满日 | - |
专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 实用新型 |
发明人 | 天津科技大学 | ||
权利人 | 王红星,陈锦溢,华超,刘洋 | ||
专利摘要 | 本发明涉及一种吸附脱除甲基氯硅烷杂质制备高纯三氯氢硅的装置和方法。并根据不同甲基氯硅烷单体的分子大小差异,制备具有定向吸附功能的吸附剂。将预处理吸附剂和定向吸附剂分别装三台吸附柱。以多级精馏提纯后的三氯氢硅为原料,通过设计的多级吸附装置进行定向吸附,经吸附后的三氯氢硅中的碳杂质含量大大降低,能够满足电子级多晶硅的生产。同时由于吸附柱装填有能够对甲基氯硅烷进行定向吸附的吸附剂,在吸附过程中可对二甲基一氯硅烷和一甲基二氯硅烷进行选择性吸附,使其得到有效的分离,脱附后,能够各自作为有机硅产品直接回收利用,减少后处理工艺、节约能耗,提高了经济效益。 |