高纯过氧化氢的制备方法

高纯过氧化氢的制备方法

技术类型 : 专利

专利所属地 :中国

公开号 :CN03109427.9

技术成熟度 :正在研发

转让方式 :技术转让

交易价格:面议

应用领域 : 研究和试验发展

技术领域 :科学分析仪器/检测仪器

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成果概况
简介
本发明涉及电子级高纯过氧化氢的制造方法,将工业过氧化氢水溶液首先与大孔强碱性阴离子交换树脂接触,再与大孔强酸性阳离子交换树脂接触,再与混合离子交换树脂接触,最后经孔径小于0.2微米的微滤膜过滤制得高纯过氧化氢产品。本发明可制得无色、无味、透明,性能稳定,杂质含量低的液体过氧化氢的产品,各种金属离子含量小于10ppb,符合半导体设备与材料国际标准SEMI·Cl·9-90和SEMI·C7·5-93,能够满足半导体生产工艺中晶片清洗剂的要求。本发明生产工艺条件不苛刻,设备简单,操作容易,原料易得,成本低,利润高,可实现连续化大规模生产。
专利基本信息
专利名称 高纯过氧化氢的制备方法
专利状态 其他 公开号 CN03109427.9
申请号 - 专利申请日期 2003-04-10
专利授权日期 2005-02-16 专利权届满日 2015-02-16
专利所属地 中国 专利类型 实用新型
发明人 天津科技大学
权利人 马敬环, 唐娜, 赵永宏
专利摘要 本发明涉及电子级高纯过氧化氢的制造方法,将工业过氧化氢水溶液首先与大孔强碱性阴离子交换树脂接触,再与大孔强酸性阳离子交换树脂接触,再与混合离子交换树脂接触,最后经孔径小于0.2微米的微滤膜过滤制得高纯过氧化氢产品。本发明可制得无色、无味、透明,性能稳定,杂质含量低的液体过氧化氢的产品,各种金属离子含量小于10ppb,符合半导体设备与材料国际标准SEMI·Cl·9-90和SEMI·C7·5-93,能够满足半导体生产工艺中晶片清洗剂的要求。本发明生产工艺条件不苛刻,设备简单,操作容易,原料易得,成本低,利润高,可实现连续化大规模生产。