一种MXene/TOCNF复合湿度传感器的制备方法

一种MXene/TOCNF复合湿度传感器的制备方法

技术类型 : 专利

专利所属地 :中国

公开号 :CN202410994334.9

技术成熟度 :正在研发

转让方式 :技术转让

交易价格:面议

应用领域 : 智能消费设备制造

技术领域 :其他

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成果概况
简介
本发明涉及一种MXene/TOCNF复合湿度传感器的制备方法,包括:二维MXene Ti-3C-2T-x纳米片的制备与改性;羧基化纳米纤维素的制备;MXene/TOCNF复合湿度传感器的制备。本发明以羧基化纳米纤维素TOCNF为基底和湿度敏感材料,以MXene为导电材料,通过聚多巴胺PDA和聚乙烯亚胺PEI对MXene进行改性处理,实现了PDA和PEI之间以及PDA/PEI共聚链和MXene之间的共价健连接,解决PDA单体絮聚的问题。相较于已有研究中PDA单独改性MXene,共同改性的MXene拥有更好的抗氧化性能和疏水性能,MXene/TOCNF复合湿度传感器表现出了更好的传感性能和稳定性,进一步拓宽了器件的使用寿命和应用场景。
专利基本信息
专利名称 一种MXene/TOCNF复合湿度传感器的制备方法
专利状态 其他 公开号 CN202410994334.9
申请号 CN118777387A 专利申请日期 2024-07-24
专利授权日期 0001-01-01 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明
发明人 天津科技大学
权利人 李洁, 赵嘉琪, 栾贻浩, 邵明哲, 马晓军, 李群, 王宇恬, 申钰洁
专利摘要 本发明涉及一种MXene/TOCNF复合湿度传感器的制备方法,包括:二维MXene Ti-3C-2T-x纳米片的制备与改性;羧基化纳米纤维素的制备;MXene/TOCNF复合湿度传感器的制备。本发明以羧基化纳米纤维素TOCNF为基底和湿度敏感材料,以MXene为导电材料,通过聚多巴胺PDA和聚乙烯亚胺PEI对MXene进行改性处理,实现了PDA和PEI之间以及PDA/PEI共聚链和MXene之间的共价健连接,解决PDA单体絮聚的问题。相较于已有研究中PDA单独改性MXene,共同改性的MXene拥有更好的抗氧化性能和疏水性能,MXene/TOCNF复合湿度传感器表现出了更好的传感性能和稳定性,进一步拓宽了器件的使用寿命和应用场景。