一种MXene/聚合物柔性应力传感器的制备方法
技术类型 ： 专利
专利所属地 ：中国
公开号 ：CN202210888857.6
技术成熟度 ：正在研发
转让方式 ：技术转让
交易价格：面议
应用领域 ： 专用仪器仪表制造
技术领域 ：敏感元器件与传感器
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成果概况
简介
本发明涉及一种MXene/聚合物柔性应力传感器的制备方法,包括1)二维MXene Ti-3C-2T-x纳米片的制备、2)二维MXene Ti-3C-2T-x纳米片的处理、3)聚合物泡沫处理及MXene/聚合物柔性应力传感器的制备。本发明以聚合物泡沫为基底,以二维MXene Ti-3C-2T-x纳米片为导电材料,通过加入硅烷偶联剂并在光引发下实现聚合物泡沫材料与无机MXene之间的化学键连接结合,增强界面间的粘合性,相比较于传统采用静电沉积和氢键连接的MXene柔性传感器拥有更稳定的连接和更优异的传感性能,提高了MXene/聚合物柔性应力传感器的灵敏性、稳定性和耐用性,拓宽了器件的使用寿命和应用场景。
专利基本信息
| 专利名称 | 一种MXene/聚合物柔性应力传感器的制备方法 | ||
| 专利状态 | 其他 | 公开号 | CN202210888857.6 |
| 申请号 | CN115265860A | 专利申请日期 | 2022-07-27 |
| 专利授权日期 | 0001-01-01 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 实用新型 |
| 发明人 | 天津科技大学 | ||
| 权利人 | 李洁,潘啸森,高萌,马晓军,邵明哲,高文华,赵嘉琪 | ||
| 专利摘要 | 本发明涉及一种MXene/聚合物柔性应力传感器的制备方法,包括1)二维MXene Ti-3C-2T-x纳米片的制备、2)二维MXene Ti-3C-2T-x纳米片的处理、3)聚合物泡沫处理及MXene/聚合物柔性应力传感器的制备。本发明以聚合物泡沫为基底,以二维MXene Ti-3C-2T-x纳米片为导电材料,通过加入硅烷偶联剂并在光引发下实现聚合物泡沫材料与无机MXene之间的化学键连接结合,增强界面间的粘合性,相比较于传统采用静电沉积和氢键连接的MXene柔性传感器拥有更稳定的连接和更优异的传感性能,提高了MXene/聚合物柔性应力传感器的灵敏性、稳定性和耐用性,拓宽了器件的使用寿命和应用场景。 | ||