薄膜铌酸锂弯折电光调制网络

薄膜铌酸锂弯折电光调制网络

技术类型 : 专利

专利所属地 :中国

公开号 :CN202411240226.9

技术成熟度 :正在研发

转让方式 :技术转让

交易价格:面议

应用领域 : 其他信息技术服务业

技术领域 :电工、微电子和光电子新材料制备与应用技术

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成果概况
简介
本发明提供薄膜铌酸锂弯折电光调制网络,属于光电集成器件领域,由下至上由硅衬底和多个弯折型波导层堆叠而成,各波导层由下至上包括二氧化硅缓冲层、铌酸锂薄膜、弯折型波导、弯折型行波电极、电磁屏蔽层堆叠而成。各波导层的所有弯折型波导均对应与其位置相关的二维坐标,所有二维坐标形成电光调制网络,分别记载调制网络中各元素所对应的弯折型波导的工作参数,不同波长光纤可根据需要耦合至对应位置的波导,刻蚀后二氧化硅缓冲层底面刻蚀有与行波电极匹配的凹槽,各波导层按照层叠顺序依次制备,电磁屏蔽层由碳纳米材料制成,采用电子束刻蚀技术在铌酸锂薄膜层制作光波导。本发明包含多个弯折型波导,通过增大调制区间提高带宽,并且使产品的集成度提高。
专利基本信息
专利名称 薄膜铌酸锂弯折电光调制网络
专利状态 其他 公开号 CN202411240226.9
申请号 CN118963008A 专利申请日期 2024-09-05
专利授权日期 0001-01-01 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明
发明人 天津科技大学
权利人 张维佳, 张文轩, 罗雪婷
专利摘要 本发明提供薄膜铌酸锂弯折电光调制网络,属于光电集成器件领域,由下至上由硅衬底和多个弯折型波导层堆叠而成,各波导层由下至上包括二氧化硅缓冲层、铌酸锂薄膜、弯折型波导、弯折型行波电极、电磁屏蔽层堆叠而成。各波导层的所有弯折型波导均对应与其位置相关的二维坐标,所有二维坐标形成电光调制网络,分别记载调制网络中各元素所对应的弯折型波导的工作参数,不同波长光纤可根据需要耦合至对应位置的波导,刻蚀后二氧化硅缓冲层底面刻蚀有与行波电极匹配的凹槽,各波导层按照层叠顺序依次制备,电磁屏蔽层由碳纳米材料制成,采用电子束刻蚀技术在铌酸锂薄膜层制作光波导。本发明包含多个弯折型波导,通过增大调制区间提高带宽,并且使产品的集成度提高。