一种热调控MOFs/PI混合基质膜孔结构的方法及应用
技术类型 ： 专利
专利所属地 ：中国
公开号 ：CN202410328372.0
技术成熟度 ：正在研发
转让方式 ：技术转让
交易价格：面议
应用领域 ： 合成材料制造
技术领域 ：精细化学品制备及应用技术
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成果概况
简介
本发明提供一种热调控MOFs/PI混合基质膜孔结构的方法及应用,涉及气体分离膜材料领域。该方法包括以下步骤：将MOFs/PI混合基质膜在惰性气体氛围中,在200～450℃下热处理1～72h。本发明还提供由该方法得到的孔结构调控的MOFs/PI混合基质膜及其在气体分离中的应用。本发明首次提出一种热调控MOFs/PI混合基质膜孔结构的方法,通过将MOFs/PI混合基质膜在特定的温度和气氛下热处理,使混合基质膜中掺杂的MOFs发生孔结构变化,实现MOFs材料拓扑孔结构的高效利用,提高混合基质膜的筛分选择性,进而实现膜材料对气体的高效选择分离,最终拓宽气体分离膜的应用范围。
专利基本信息
| 专利名称 | 一种热调控MOFs/PI混合基质膜孔结构的方法及应用 | ||
| 专利状态 | 其他 | 公开号 | CN202410328372.0 |
| 申请号 | CN118122158A | 专利申请日期 | 2024-03-21 |
| 专利授权日期 | 0001-01-01 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明 |
| 发明人 | 天津科技大学 | ||
| 权利人 | 李凯华,程博闻,杨磊鑫,马裕超,张津玮,赵伟 | ||
| 专利摘要 | 本发明提供一种热调控MOFs/PI混合基质膜孔结构的方法及应用,涉及气体分离膜材料领域。该方法包括以下步骤：将MOFs/PI混合基质膜在惰性气体氛围中,在200～450℃下热处理1～72h。本发明还提供由该方法得到的孔结构调控的MOFs/PI混合基质膜及其在气体分离中的应用。本发明首次提出一种热调控MOFs/PI混合基质膜孔结构的方法,通过将MOFs/PI混合基质膜在特定的温度和气氛下热处理,使混合基质膜中掺杂的MOFs发生孔结构变化,实现MOFs材料拓扑孔结构的高效利用,提高混合基质膜的筛分选择性,进而实现膜材料对气体的高效选择分离,最终拓宽气体分离膜的应用范围。 | ||