基于激光诱导激发表面等离子体制备金纳米球增强拉曼基底的制备方法
技术类型 ： 专利
专利所属地 ：中国
公开号 ：CN202310854957.1
技术成熟度 ：正在研发
转让方式 ：技术转让
交易价格：面议
应用领域 ： 研究和试验发展
技术领域 ：新型纤维及复合材料制备技术
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成果概况
简介
本发明揭示了一种制备表面增强拉曼活性基底的方法,可用于增强拉曼信号。该方法采用激光诱导激发表面等离子体技术,使用多孔阳极氧化铝(AAO)薄膜作为金属-介质-金属(MIM)结构的介质层,并在其表面溅射金层制备MIM掩膜。通过激光照射MIM掩膜,诱导激发表面等离子体可在单晶硅上制造具有平均直径100nm的金纳米球,平均球间距374nm,形成类球阵列结构,从而实现硅基体性能优异的SERS。本发明提供的金纳米球制备方法可控制其平均直径,且对不同浓度的分析物具有显著的拉曼增强效果。制备成本低、周期短、且可大批量高效率制备基板,有利于工业生产。
专利基本信息
| 专利名称 | 基于激光诱导激发表面等离子体制备金纳米球增强拉曼基底的制备方法 | ||
| 专利状态 | 实审 | 公开号 | CN202310854957.1 |
| 申请号 | CN117051364A | 专利申请日期 | 2023-07-13 |
| 专利授权日期 | 0001-01-01 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明 |
| 发明人 | 天津科技大学 | ||
| 权利人 | 赵静楠,罗思鹏,郭志全,王瑞珅,王星涵 | ||
| 专利摘要 | 本发明揭示了一种制备表面增强拉曼活性基底的方法,可用于增强拉曼信号。该方法采用激光诱导激发表面等离子体技术,使用多孔阳极氧化铝(AAO)薄膜作为金属-介质-金属(MIM)结构的介质层,并在其表面溅射金层制备MIM掩膜。通过激光照射MIM掩膜,诱导激发表面等离子体可在单晶硅上制造具有平均直径100nm的金纳米球,平均球间距374nm,形成类球阵列结构,从而实现硅基体性能优异的SERS。本发明提供的金纳米球制备方法可控制其平均直径,且对不同浓度的分析物具有显著的拉曼增强效果。制备成本低、周期短、且可大批量高效率制备基板,有利于工业生产。 | ||