一种三维自支撑碳膜电极及制备方法及应用
技术类型 ： 专利
专利所属地 ：中国
公开号 ：CN202211342227.5
技术成熟度 ：正在研发
转让方式 ：技术转让
交易价格：面议
应用领域 ： 电力生产
技术领域 ：新能源与节能
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成果概况
简介
本发明公开了一种三维自支撑碳膜电极及制备方法及应用,碳膜电极以碳膜为支撑体,在碳膜的表面及孔内负载有过渡金属氧化物或氢氧化物二维纳米结构,所述碳膜为具有微孔或者纳米孔的碳膜,孔径为5nm～20μm,厚度为0.1μm～10cm,孔隙率为5～70％,所述过渡金属氧化物或氢氧化物二维纳米结构为片状,厚度为1～1000nm,纳米片大小为10nm～5μm。本发明制备的碳膜电极,在非酶葡萄糖传感器应用中显示出较高灵敏度、较低检测线以及良好的重现性；在超级电容器应用中显示出超高的比电容、倍率性能以及循环稳定性。
专利基本信息
| 专利名称 | 一种三维自支撑碳膜电极及制备方法及应用 | ||
| 专利状态 | 实审 | 公开号 | CN202211342227.5 |
| 申请号 | CN116153670A | 专利申请日期 | 2022-10-31 |
| 专利授权日期 | 0001-01-01 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明 |
| 发明人 | 天津科技大学 | ||
| 权利人 | 尹振,殷昭慧,李昱伟,戴文静,王虹,李建新 | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种三维自支撑碳膜电极及制备方法及应用,碳膜电极以碳膜为支撑体,在碳膜的表面及孔内负载有过渡金属氧化物或氢氧化物二维纳米结构,所述碳膜为具有微孔或者纳米孔的碳膜,孔径为5nm～20μm,厚度为0.1μm～10cm,孔隙率为5～70％,所述过渡金属氧化物或氢氧化物二维纳米结构为片状,厚度为1～1000nm,纳米片大小为10nm～5μm。本发明制备的碳膜电极,在非酶葡萄糖传感器应用中显示出较高灵敏度、较低检测线以及良好的重现性；在超级电容器应用中显示出超高的比电容、倍率性能以及循环稳定性。 | ||