一种多层套刻式锥形电极铌酸锂电光调制器及其制备工艺

一种多层套刻式锥形电极铌酸锂电光调制器及其制备工艺

技术类型 : 专利

专利所属地 :中国

公开号 :CN202310826361.0

技术成熟度 :正在研发

转让方式 :技术转让

交易价格:面议

应用领域 : 通信设备制造

技术领域 :功能玻璃制备技术

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成果概况
简介
一种多层套刻式锥形电极铌酸锂电光调制器及其制备工艺,铌酸锂电光调制器包括从下到上依次设置的衬底、光波导、二氧化硅缓冲层和电极层,电极层包括间隔设置在二氧化硅缓冲层顶部两地电极和设置在两地电极之间的中心电极,所述地电极呈锥形,中心电极呈倒锥形;本申请通过限定地电极与中心电极的形状,采用锥形对应倒锥形的电极结构,提高电极平板相对面积,从而在有限的电极厚度内,将相对面积提高至最大,增大电场作用区达到提高带宽的目的。
专利基本信息
专利名称 一种多层套刻式锥形电极铌酸锂电光调制器及其制备工艺
专利状态 实审 公开号 CN202310826361.0
申请号 CN116819806A 专利申请日期 2023-07-06
专利授权日期 0001-01-01 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明
发明人 天津科技大学,福建玻尔光电科技有限责任公司
权利人 张维佳,罗雪婷,刘婷,李佳琦,张文轩,刘体辉
专利摘要 一种多层套刻式锥形电极铌酸锂电光调制器及其制备工艺,铌酸锂电光调制器包括从下到上依次设置的衬底、光波导、二氧化硅缓冲层和电极层,电极层包括间隔设置在二氧化硅缓冲层顶部两地电极和设置在两地电极之间的中心电极,所述地电极呈锥形,中心电极呈倒锥形;本申请通过限定地电极与中心电极的形状,采用锥形对应倒锥形的电极结构,提高电极平板相对面积,从而在有限的电极厚度内,将相对面积提高至最大,增大电场作用区达到提高带宽的目的。