一种高纯DMDO的精制方法
技术类型 ： 专利
专利所属地 ：中国
公开号 ：CN202410148823.2
技术成熟度 ：正在研发
转让方式 ：技术转让
交易价格：面议
应用领域 ： 通信设备制造
技术领域 ：电子化学品制备及应用技术
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成果概况
简介
本发明属于化工分离技术领域,公开了一种高纯DMDO的精制方法,包括以下步骤：将质量含量≥80％的DMDO粗料通过在降温阶段鼓入气泡辅助成核的方式进行第一级层式熔融结晶,得到质量含量≥95％的DMDO粗品,通过在降温阶段鼓入气泡辅助成核的方式进行第二级层式熔融结晶,可得到纯度大于99.95％的高纯DMDO。本发明适用于含量≥80％的DMDO粗品,在两级层式熔融结晶降温阶段创造性地通过鼓入气泡促进了DMDO的成核,减少操作时间,减少因杂质嵌入到晶层中而降低纯度的同时又具有较高的收率；操作简单,不外加溶剂,避免了溶剂对产品的污染,对环境友好；减少了溶剂回收过程,降低成本。
专利基本信息
| 专利名称 | 一种高纯DMDO的精制方法 | ||
| 专利状态 | 其他 | 公开号 | CN202410148823.2 |
| 申请号 | CN117986224A | 专利申请日期 | 2024-02-02 |
| 专利授权日期 | 0001-01-01 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明 |
| 发明人 | 天津科技大学,濮阳天源生物科技有限公司 | ||
| 权利人 | 王彦飞,刘柏孚,刘仁欢,文教刚,许史杰 | ||
| 专利摘要 | 本发明属于化工分离技术领域,公开了一种高纯DMDO的精制方法,包括以下步骤：将质量含量≥80％的DMDO粗料通过在降温阶段鼓入气泡辅助成核的方式进行第一级层式熔融结晶,得到质量含量≥95％的DMDO粗品,通过在降温阶段鼓入气泡辅助成核的方式进行第二级层式熔融结晶,可得到纯度大于99.95％的高纯DMDO。本发明适用于含量≥80％的DMDO粗品,在两级层式熔融结晶降温阶段创造性地通过鼓入气泡促进了DMDO的成核,减少操作时间,减少因杂质嵌入到晶层中而降低纯度的同时又具有较高的收率；操作简单,不外加溶剂,避免了溶剂对产品的污染,对环境友好；减少了溶剂回收过程,降低成本。 | ||