悬浮波导矩阵薄膜铌酸锂声光调制器

悬浮波导矩阵薄膜铌酸锂声光调制器

技术类型 : 专利

专利所属地 :中国

公开号 :CN202411276061.0

技术成熟度 :正在研发

转让方式 :技术转让

交易价格:面议

应用领域 : 通信设备制造

技术领域 :功能玻璃制备技术

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成果概况
简介
本发明提供了一种新型悬浮波导矩阵薄膜铌酸锂声光调制器,属于声光调制技术领域,包括由下至上层叠的体铌酸锂衬底和多个悬浮波导层,各悬浮波导层均包括由下至上层叠的体铌酸锂衬底、刻蚀后的二氧化硅缓冲层、铌酸锂薄膜、光波导和叉指电极、刻蚀后二氧化硅缓冲层和电磁屏蔽层,各波导层的所有光波导均对应与其位置相关的二维坐标,所有二维坐标形成波导矩阵,分别记载波导矩阵中各元素所对应的光波导的工作参数,各波导层按照层叠顺序依次制备。本发明能够包含多个可用光波导,可调制多种光波长激光,多波段兼容性:悬浮波导结构可以适用于可见光和红外光等不同波段的光信号调制,因此具有更广泛的应用范围。
专利基本信息
专利名称 悬浮波导矩阵薄膜铌酸锂声光调制器
专利状态 其他 公开号 CN202411276061.0
申请号 CN118963009A 专利申请日期 2024-09-12
专利授权日期 0001-01-01 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明
发明人 天津科技大学
权利人 张维佳, 李佳琦, 罗雪婷
专利摘要 本发明提供了一种新型悬浮波导矩阵薄膜铌酸锂声光调制器,属于声光调制技术领域,包括由下至上层叠的体铌酸锂衬底和多个悬浮波导层,各悬浮波导层均包括由下至上层叠的体铌酸锂衬底、刻蚀后的二氧化硅缓冲层、铌酸锂薄膜、光波导和叉指电极、刻蚀后二氧化硅缓冲层和电磁屏蔽层,各波导层的所有光波导均对应与其位置相关的二维坐标,所有二维坐标形成波导矩阵,分别记载波导矩阵中各元素所对应的光波导的工作参数,各波导层按照层叠顺序依次制备。本发明能够包含多个可用光波导,可调制多种光波长激光,多波段兼容性:悬浮波导结构可以适用于可见光和红外光等不同波段的光信号调制,因此具有更广泛的应用范围。